تعمل شركة Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC)، الرائدة في إنتاج ذاكرة NAND فلاش في الصين، على توسيع نطاقها لدخول سوق DRAM. تستهدف الشركة تعزيز شراكتها مع ChangXin Memory Technologies (CXMT) للتركيز على ذاكرة النطاق العريض (HBM) المستخدمة في مسرعات الذكاء الاصطناعي، مما سيجمع بين أهم اللاعبين في صناعتَي NAND وDRAM في الصين.
تحديات السياسة الأمريكية وتأثيرها
تأتي خطط YMTC في سياق معقد بسبب القرارات السياسة الأمريكية. فقد قام مكتب الصناعة والأمن بفرض ضوابط صارمة على HBM في ديسمبر 2024، مما زاد من قيود الوصول إلى أدوات صناعة الرقائق. هذه التغيرات تعقد من جهود الصين لزيادة إنتاج الذاكرة المتقدمة. كما أن الترخيص بالنسبة للمصانع الصينية أصبح أكثر تحديدًا، حيث فقد مصنع TSMC في نانجينغ فتحة الموافقة السريعة، مما يحدد بشكل مباشر توقيت وحجم أي مشروع محلي في مجال HBM.
القدرات والإنتاج المحلي
على الرغم من أن CXMT قد بدأت في إنتاج HBM2 وتمضي قدمًا نحو تطوير HBM3، فإن التقديرات تشير إلى أن الإنتاج قد يبدأ بين 2026 و2027. ورغم وجود فجوة بين CXMT ومنافسيها الكوريين، فإن التقدم في هذا المجال يسير بوتيرة سريعة. فإن قدرة الصين على بناء سلسلة توريد محلية قوية تعتمد على تحسين التعبئة والتكامل بشكل متسارع.
تمتلك YMTC خبرة قوية في مجال الربط الهجين، مع هيكل Xtacking الذي حصل على تقييمات إيجابية، مما يجعله ملائمًا لتقنيات HBM. بينما يتطور النظام البيئي المحلي للتعبئة، تعمل CXMT وWuhan Xinxin على تطوير حلول HBM، وقد بدأت Tongfu Microelectronics في عمليات التجميع. لذا، أصبحت التعبئة المتقدمة محور التركيز في صناعة HBM.
تشير تقارير إلى خطط YMTC لشراء معدات بحث وتطوير DRAM، مما قد يتيح لها التعاون مع CXMT لتطوير DRAM الجيل التالي لـ HBM وتوسيع الإنتاج في المدى القصير.
يعتبر الخبراء أن هذه الشراكة تمثل خطوة استراتيجية لمنافسة الشركات الكورية. يتوقع أن تتوجه المنتجات الأولية لـ HBM الصينية نحو العملاء المحليين بسبب القيود المفروضة على الوصول إلى الأدوات ومتطلبات تأهيل العملاء.
